Un instituto de investigación eslovaco ha desarrollado con éxito un sensor de presión piezoeléctrico basado en un sustrato de GaN indicado para condiciones extremas de alta temperatura y entornos químicamente agresivos, con un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) como elemento de detección. Este sensor de presión único se basa en el concepto de sistemas microelectromecánicos (MEMS) para medir la presión externa con un sistema semiconductor piezoeléctrico de AlGaN/GaN, capaz de operar bajo condiciones extremas de alta temperatura (hasta 700 ºC) y entornos químicamente agresivos. El sensor permite la miniaturización de dimensiones y el incremento de la calidad y resistencia de detección. El instituto busca socios con el fin de establecer acuerdos de licencia o financiación.
REF. RDRDE20240423009. Instituto de investigación líder internacional en el sector de la impresión y los medios de comunicación ofrece conocimientos especializados en investigación desde la preimpresión hasta el acabado de la impresión, incluidos temas relacionados con el medio ambiente y las aplicaciones de seguridad.
Renowned non-profit research institute based in Germany with members in over 50 countries. Activities cover the entire spectrum of the print and media industry and security documents. The equipment includes colour measurement devices, optical spectroscopy, scanning...
Abr 25, 2024